k2350场效应管参数,2761场效应管参数

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500 0.4 15 TO-3P(N) 2SK2698 A Toshiba 2SK2699 600 0.65 12 TO-3P(N) 2SK2699 A Toshiba ' href='diode/863_17.htm'>上一页2SK POWER MOSFET功率场效应场效应管参数大全k1118k2645k2564k2545k1507k2761k1117k2333代k214107n03l30v80a150wn10n2010a200vn沟道mos管10n6010a600v11n8011a800v156w11p0660v94ap沟道直插13n6013a600v

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≥＾≤ 场效应管K2350可用k2671或者10N60来代替。10N60参数为：10A,600V；IRF640参数为：18A,200V。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要产品型号K724 K725 K727 K785 K787 K790 沟道主要参数N 500V、10A、100W N 500V、15A、125W N 500V、5A、125W N 500V、20A、150W N 900V、8A、150W N 500V、