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≥▽≤ NCE3407AY主要参数:VDS = -30V,ID = -4.3A 封装:SOT-23-3L NCE3407AY为新洁能推出的-30V,P沟道,大电流MOS,NCE3407AY实际电流可以达到-4.3A,可以满足充电器,移动电源,小家电等需要大AO3407场效应管参数具体如下:极性:PNP Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:-30V Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±20V Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:-4.1A Conti
↓。υ。↓ 参数:最大工作电压(Vdss):该管的最高工作电压为600V,可以承受较高的电压,适用于高电压的应用场合。最大连续漏极电流(Id):在最大工作电压下,该管的连续漏极电流最大可达到4AO3407A 规格书AOS AO3407A
30V P-Channel MOSFET
General Description
The AO3407A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge
DC1180A 查看此评估套件详细信息演示电路DC1180是一款双输出稳压器,它由两个相同的恒频降压转换器组成,其基于采用3 × 3 DFN-10封装的单芯片双通道同步降压型稳压器LTC3407A。LTC3407A与LTC3407型号:AO3407A封装:SOT23-3 品牌:AOS年份:18+ 分类:晶体管- FET,MOSFET - 单包装方式:原厂原包库存量:180000标准包装数:最小起订量:7+货期:单价:¥ 12.8831 价格梯度售价
3407MOS管3407A 不同Id、Vgs 时的Rds On(最大值):48 毫欧@ 4.3A,10V 24:热管的工作原理LNZ9F8V2T5G 3407MOS管3407A 不同Id 时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 25:超结场效应管LNZ9F9V1T5G 3MOS管-4.1A/-30V KIA3407产品特点1、VDS(V)=-30V 2、ID=-4.1A 3、RDS(on)<60mΩ(VGS=-10V,ID=-4.1A) 4、RDS(on)<90mΩ(VGS=-4.5V,ID=-3.0A) MOS管-4.1A/-30V KIA3407产品参数
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