irf1405场效应管参数,irfp140N场效应管参数

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技术参数额定电压(DC) 55.0 V 额定电流169 A 漏源极电阻4.60 mΩ 极性N-Channel 耗散功率200 W 产品系列IRF1405 漏源极电压(Vds) 55.0 V 漏源击穿电压55.0V (min) 连续漏极晶体管类型1 N-Channel 宽度4.4 mm 商标Infineon / IR 产品类型MOSFET 工厂包装数量1000 子类别MOSFETs 单位重量6 g 可售卖地全国型号IRF1405PBF 产品详情技术参

产品型号：IRF1405ZPBF,生产商：IR,简要描述：场效应管，由深圳市通络科技电子有限公司代理销售IRF1405ZPBF库存，采购IRF1405ZPBF现货供应商，替换IRF1405ZPBF代替品，免费查看IRF1405ZPBF.pdf,下载IRF140.50–––R θJA Junction-to-Ambient –––62 TO-220AB PD -93991A IRF1405 Typical Applications q Electric Power Steering (EPS)q Anti-lock Braking System (ABS)q Wi

产品型号：IRF1405PBF,生产商：IR,简要描述：场效应管，由深圳市通络科技电子有限公司代理销售IRF1405PBF库存，采购IRF1405PBF现货供应商，替换IRF1405PBF代替品，免费查看IRF1405PB50片/管购买数量：片片总额：￥0 品牌：Infineon(英飞凌) 厂家型号：IRF1405PBF 商品编号：C2559 封装：TO-220 数据手册：下载文件商品毛重：2.75克(g) 包装方式：管装查看套装推荐商品选择时请仔细

型号IRF1405PBF 技术参数品牌：IR/国际整流器型号：IRF1405PBF 数量：11147 RoHS: 是产品种类：电子元器件最小工作温度：-30C 最大工作温度：130C 最小电源电压：4V 最大电源irf1405型场效应MOS管的主要参数如下：一是PD最大耗散功率：330W, 二是ID最大漏源电流：169A, 三是V(BR),DSS漏源击穿电压：55V, 四是RDS(ON)Ω内阻：0.0053Ω。irf1405参数代换？irf14

IRF1405IRF1404原装原字芯片内阻电流MOS169A55V场效应管IRF1405 IRF1404 原装原字大芯片低内阻大电流MOS 169A 55V 价格：¥1.35 券后：¥1.35 发货地：广东汕头¥1.35元阿里巴巴为您找到7条irf1405大功率场效应管产品的详细参数，实时报价，价格行情，优质批发/供应等信息。您还可以找阿诺德铁硅铝，uln2003a达林顿管，13003大芯片1.18,三肯配对管，epcos双