什么是n沟道场效应管,双n沟道场效应管

场效应管与mos管的关系 2023-10-18 17:48 356 墨鱼

场效应管与mos管的关系

什么是n沟道场效应管,双n沟道场效应管

代表符号中的箭头方向表示由p(衬底)指向n(沟道)。p沟道增强型mos管的箭头方向与上述相反，如图(c)所示。n沟道加强型mos管的特性曲线1)输出特性曲线n沟道加强N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1(a)所示。与结型场效应管一样，其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。2)转移特性曲线转移

╯ω╰ n沟道场效应管是一种存在于半导体表面的电子元件。它通常由一些层次分明的p型、n型半导体构成。在这个半导体结构里面，n型半导体形成了沟道(也叫通道),而p型半导体则连接着沟道两端N沟道结型场效应管的结构如下图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一

由P型衬底和两个高浓度N扩散区构成的MOS管叫作N沟道MOS管。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)N沟道MOS管场效应管是什么N沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS管的结构基本相同。差别在于耗尽型MOS管的Si02绝缘层中掺有大量的正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺人负离子),故

场效应管的截止区对应三级管的截止区，恒流区对应饱和区，可变电阻区对应放大区。当Ugs为反向电压时，电压越大N沟道越小，当N沟道消失时Ugs那时的电压称之为夹断电压(Ugs(off))。这里N沟道结型场效应管的结构如下图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。结型场效应

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标签：双n沟道场效应管