国产光刻机可以达到多少纳米,上海微电子光刻机多少纳米

国产光刻机龙头企业 2023-10-13 20:49 308 墨鱼

国产光刻机龙头企业

国产光刻机可以达到多少纳米,上海微电子光刻机多少纳米

目前国产光刻机最先进的设备在分辨率上达到了90nm，但有人表示，在经过多次曝光后可实现更高工艺水平，但也有反驳声音。由于ArFDry光刻机的极限工艺为55nm，因此国产光刻机最多只能目前，ASML是全球最大的光刻机厂商，其市场占有率达到了90%以上。尼康居次，其在全球市场中的市场占有率约为5%。国产光刻机现状和能力当前，国产光刻机最先进的型号为SSA600/20，

据介绍，该项目组经过近7年攻关，突破多项关键技术，完成国际上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备研制，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。22纳米的光刻机可以根据媒体报道，此前中芯国际订购的EUV光刻机是1.2亿欧元，相当于人民币9亿多元，而先进的EUV光刻机可以达到1.5亿美元，约合人民币10亿元！这比美国第四代战斗机F35

∩＾∩ 实际分辨率可以达到13nm, 确实不如报道中的9nm分辨率；但是这台设备确是货真价实的量产设备，可以实现国内目前水平：光刻机仍然是处于90nm水平，蚀刻机达到了5nm水平。2018年时中科院的“超分辨光刻装备研制”通过验收，它的光刻分辨力达到22nm，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯

28nm以上节点制造采用的是193nm波长干式光刻机，28nm-10nm节点采用193nm波长浸没式光刻机，至于支撑10nm集成电路制造，业界已经开始尝试采用极紫外光刻机，再下一代产品高数值孔径EUV光中国光刻机现在达到了22纳米。在上海微电子技术取得突破之前，我国国产的光刻机一直停留在只能制造90nm制程的芯片。

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