西门康igbt模块选型,国产igbt模块

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IGBT模块有不同的外壳尺寸可供选择，电压级别为600V、1200V和1700V。提供半桥、三相全桥和斩波器拓扑结构，电流范围为75A至600A。除了IGBT3和IGBT4芯片，1200V系列还包括多款V-IGBT设备。此外，还提供西门康各型号igbt参数参照.pdf,V I @ V @25 (E +E )@125 R CES C CE(sat) on off th(j-c) TYPE TC =25 typ. typ. V A V mJ K/W SKM75GAL063D 600 100 1.8 3 0

SKM 400GB176D43020.330.880.08-SEMITRANS 3pdf 上一个：西门康可控硅模块下一个：西门康集成组件相关产品CONCEPT驱动板英飞凌小功率IGBT 英飞凌大功率IGBT 富士多单元智能I西门康可控硅选型.pdf,西门康可控硅系列门康可控硅模块(SKKT= 两可控硅串联，SKKH= 二极管+ 高端可控硅，SKKL= 低端可控硅+ 二极管) 号(全控) 技术指标

1、西门康可控硅系列西门康可控硅模块(SKKT=两可控硅串联，SKKH=二极管+高端可控硅，SKKL=低端可控硅+二极管)型号(全控)技术指标型号(全控)技术指标SKKT15/12(16)E(D)15A/1200V(1600V东芝IGBT功率模块MIG20J503 西门康IGBT功率模块SKM200GM128D IGBT功率模块2MBI100N-060 PM25RSB120 PM25RSB120 *新产品热卖产品112MT100K 112MT100K 111MT80K 111MT80K 三棱IGBT 模块+单管IG

SEMIKRON(西门康)IGBT低损耗型(频率：0-4KHZ)型号SKM400GA124DSKM500GA124DSKM600GA124DSKM500GA174DSKM75GB124DSKM100GB124DSKM145GB124DSKM145GB124DNSKM50GB124D深圳德意志SEMITOP 系列IGBT模块电路图两单元GB 四单元MLI 四单元GBB 四单元GH 四单元MLI 四单元GH-T 斩波GAL 斩波GAR 斩波GARL 六单元GD 六单元GD-T 六单元斩波GAD 六单元GD-ET 制造工艺单元数及