掺杂浓度和耗尽层的关系,硅掺杂浓度

掺杂浓度和耗尽层的关系,硅掺杂浓度

计算公式和图像法绘制出的耗尽层宽度和掺杂浓度之间的关系曲线，得出了掺杂浓度的变化对耗尽层宽度的影响，又利用PN结中内建电场与内建电势差的计算公式和热平衡掺杂浓度越高，耗尽层越窄的原因如下：由于掺杂浓度大，耗尽层单位面积内正负离子多，所以只需要相对较窄的耗尽层就能建立起足够强的内电场来阻止多子的扩散运动。可理解为加上正向电压

掺杂浓度N高，内建电场E增大，势垒电压V也增大，但E与N成正比，V与ln(N)成正比，E增长比V快，而V高掺杂时耗尽层两端的浓度差大，多子的扩散运动剧烈，空间电荷区理论上加宽，但是空间电荷区产生的内电场导致少子的漂移运动也剧烈，空间电荷区又要变薄，最终要达

而耗尽层的宽度主要受到两种作用的影响，那就是多子的扩散和少子的漂移，扩散是由于浓度差的存在，漂移是因为空间电荷区的电场作用，两者达到动态平衡后耗尽层宽度耗尽层的宽度和掺杂浓度之间有着密切的关系。掺杂浓度是指在半导体中掺入杂质的浓度，掺杂浓度越高，耗尽层的宽度就越窄。这是因为在高掺杂浓度下，半导体中的自由电子和空穴的

耗尽层宽度取决于杂质离子的浓度；在掺杂半导体中，多数载流子由杂质离子提供，少数载流子由本征激发(形成电子空穴对),故而，在高掺杂浓度下，多数载流子的扩散运关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题扩散是由于浓度差引起的，应该是浓度越大，扩散能量越强，那么耗尽层也应该越宽啊.实际却是掺杂浓度越大，耗尽层越窄.为什

耗尽层主要由N型区和P型区的掺杂浓度差异决定。掺杂浓度过高或过低都会影响耗尽层的大小和PN结的性能。当P型区掺杂浓度增加时，耗尽层会增加，电阻会增大，而电流会减小；当N型区PN结耗尽层宽度与掺杂杂质浓度的关系前面提到雪崩击穿与齐纳击穿的时候，有个耗尽层宽度与浓度的关系，这里做下解释。高掺杂时耗尽层两端的浓度差大，多子的扩散运动剧烈，空间电荷区