irf460场效应管参数资料,irfb4110场效应管参数与测量

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IRF460 MOS管参数：连续漏电流：21A 脉冲漏电流：84A 最大功耗：300W 线性降额系数：2.4W/℃门-源电压：±20V 单脉冲雪崩能量：1200MJ 雪崩电流：21A 重复雪崩电压：30MJ 峰值二极管恢复dv/dirf460 irf460参数mosfet mosfet工作原理mosfet选型mosfet驱动电路mosfet管mosfet型号mosfet 原理mosfet作用文档格式：.pdf 文档大小：140.3K 文档页

∪０∪ IRFP460中文资料IRFP460中文资料IRFP460中文资料功率场效应管1、动态dV/dt额定值2、额定重复性雪崩3、中央隔离安装孔4、快速切换5、易于并联6、简单的驱动要求IRF460

生产和代理销售的产品有IC、二，三极管、可控硅、场效应管、MOS管，IGBT、三端稳压等，自产品牌有JDP,金大鹏，产品广泛应用于LED驱动、智能家电、通讯系统，数码产品，电脑，汽车，音响，电磁摘要：【用途】通用型场效应管【性能参数】N沟500V 21A 300W 【互换兼容】【用途】通用型场效应管【性能参数】N沟500V 21A 300W 【互换兼容】

IRF系列场效应管参数表(IRF9Z10-IRF633)型号厂家类型漏源极电压(V)漏极电流(A)最大功耗(最大功耗(W)封装形式IRF9Z10IRF9Z12IRF9Z14IRF9Z20IRF9Z22IRF9Z24IRF9Z30IRF9Z32IIRF460的应用功能介绍、IRF460参数、电路图、封装、管脚引脚图、DATASHEET,以及IRF460的中文资料、代换替代型号、PDF手册等。

irfp460参数：FET 型：MOSFETN 通道，金属氧化物开态Rds（最大）Id, Vgs 25° C：270 毫欧 12A, 10V 漏极至源型号：IRF460 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):300 W 漏极电流(ID):21 A 漏极和源极电压(VDSS):500 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.27 Ω 封装：TO-204AE 更多N沟道场效应管