7n80场效应管参数,5n60场效应管参数

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7n80c,N沟道场效应管，电流7安，耐压800伏。功率56瓦。00分享举报您可能感兴趣的内容广告免费logo在线设计1000+个logo在线设计模板-免费使用！Canva-免费在线产品型号：FQP7N80C,生产商：仙童，简要描述：7A 800V N沟道场效应晶体管，由深圳市建芯微电子有限公司代理销售FQP7N80C库存，采购FQP7N80C现货供应商，替换FQP7N80C代替品，免费查看

型号FQP7N80C 技术参数品牌：ON/FSC 型号：FQP7N80C 封装：TO220 批次：19+ 数量：99600 RoHS: 是产品种类：电子元器件最小工作温度：-30C 最大工作温度：90C 最小电源电压：27N80参数描述型号：7N80 封装：TO-220 特性：高效MOS管电性参数：7A 800V 连续二极管正向电流(IS):7A 脉冲二极管正向电流(ISM):28A 漏源电压(VDSS):800V 栅源电压(VGS):±30V

7n80场效应管参数型号概述，此功率MOSFET生产是使用SL先进的平面条纹DMOS技术，这个先进的技术是特别定制的，以减少通态电阻，提供优越的开关性能，在雪崩和转换方式下能承受高能脉冲器件7N80的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为7A,漏源电压(VDSS)为800V,源-漏二极管压降(VSD)为1.4V,反向恢复时间(trr)为320NS。7N80参数描述型号：7N80 封装：TO-220 特性：高效MOS管

型号：7N80 品牌：ASEMI 封装：TO-220 电流：7A 电压：800V 恢复时间：正向电压：引脚数量：3 芯片个数：1 芯片尺寸：漏电流：10uA 特性：低功耗场效应管工作温度：55~+150℃ MOS场效应管7N80详细参数：型号：ASEMI场效应管7N80 漏源电压(VDS):800V 栅源电压(VGS):±30V 漏极电流-持续(TC=25°C)(ID):7A 漏极脉冲电流(IDM):28A 耗散功率(TC=25°C)

●△● 7n80和8n60都是大功率mos管。前者耐压值为800v，后者耐压值为600v，一般可以代替。只是7n80的id只有7a，若充电器电流不是很大，代换没问题。7N80详细参数：型号：ASEMI场效应管7N80 漏源电压(VDS):800V 栅源电压(VGS):±30V 漏极电流-持续(TC=25°C)(ID):7A 漏极脉冲电流(IDM):28A 耗散功率(TC=25°C)(