晶圆再生建厂流程,晶圆划片工艺流程

晶圆再生建厂流程,晶圆划片工艺流程

的晶圆；退火步骤：将该去膜的晶圆置于一加热环境中进行退火处理，得一经退火处理的晶圆，且退火温度为大于或等于150℃且小于或等于500℃;抛光步骤：抛光该经退火处晶圆再生工艺流程主要是对控挡片进行去膜——去掉上次使用产生的膜层、粗抛精抛——去除表面的损伤，使它重新平整光滑、清洗——去除表面研磨液、检测等工序处理，使其表面平整化、无

˙▂˙ 当前全球再生晶圆市场和产能高度集中于日本和中国台湾，其中日本供应商长期占据全球再生晶圆市场大部分产能，而台湾供应商随着当地集成电路制造厂迅速发展而成为后起之秀。根据SEMI 根据观研网的数据，65nm制程的晶圆代工厂每10片正片需要加6片挡控片，28nm及以下的制程每10片正片需要加15-20片挡控片。挡控片的来源可分为全新晶圆以及再生晶圆。（1）全新晶圆：

∩＾∩ 目录索引一、下游持续扩张，晶圆再生行业乘风而起6 (一)晶圆再生：针对挡控片进行回收加工，是材料成本管理的重要一环6 (二)产能与价格双驱动，再生晶圆需求向其中，精抛是最关键的一道流程，主要通过CMP工艺完成，因此CMP工艺是晶圆再生工艺流程的核心，同时CMP设备也是晶圆再生工艺产线中资金投入最大的工艺制程设备。晶圆再生工艺流程二、

再生晶圆是指在半导体IC制造过程中，有几百道制程，为确保品质精良，每道制程都需要监控，这时就需要使用成本较低的测试晶圆，来确保制程参数是否正确，并保障产品国内首家12寸晶圆再生工厂在合肥诞生根据《中国青年报》在7月16日公布的消息，合肥至微项目投资近10个亿的12寸晶圆再生工厂正式量产，同时这也是中国首家12寸晶圆再生工厂。需要知

晶圆再生工艺流程主要包括控挡片进行去膜、粗抛、精抛、清洗、检测等工序处理，使其表面平整化、无残留颗粒。其中，精抛是最关键的一道流程，主要通过CMP工艺完同时，在大尺寸再生晶圆项目上，协鑫集成有望通过从半导体材料这一我国半导体短板领域填补我国半导体产业链中再生晶圆领域空白，布局半导体第二主业。公告显示，协鑫集成此次非公开发