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pn结势垒电容形成机理 |
pn结的电容效应,pn结势垒电容与电压关系
pn结的电容效应是由pn结的电荷调控特性所引起的,它可以实现电位能量的调节。在pn结中,n型半导体的外层具有负电荷,而内层具有正电荷;p型半导体的外层具有正电荷,而内层具有负PN结的电容效应限制了二极管三极管的最高工作效率,PN结的电容效应将导致反向时交流信号可以部分通过PN结,频率越高则通过越多。二极管,三极管反向的时候,PN结两边的N区和P区仍然是
这两个区域能够存放电荷(载流子),即充电;也能够被取走电荷,即放电。于是,当PN结两端电沍变化时,将引起PN结空间电荷的改变,表现为电容性效应,同时引起势垒层PN结的电容效应势垒电容:PN结外加反向电压,空间电荷区的宽度将随之变化(耗尽层的电荷量随着外加反向电压增大或者减小),这种现象与电容充放电过程相同。耗尽层变化所等效的电容称
PN结的电容效应PN结具有一定的电容效应,它由两方面的因素决定.一是势垒电容CB ,二是扩散电容CD . (1) 势垒电容CB 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的.当外加电压使PN结因此,势垒区空间电荷数量随外加电压变化会产生电容效应,这是PN结区的势垒电容。结果一题目简述PN结是如何产生电容效应. 答案答:PN结区在正向偏压下,随着外加电压的增加,
PN结的电容效应可以分为两种情况:正向偏置下的扩散电容和反向偏置下的势垒电容。另一方面,当PN结从正向2)PN结加反向电压截止:耗尽层变宽,阻止扩散运动,有利于漂移运动,形成漂移电流。由于电流很小,故可近似认为其截止。四、PN 结的电容效应1. 势垒电容C b PN结外加电压变化时,空间
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