lod效应,lde效应

lod效应,lde效应

(#｀′)凸 LOD( Length of Diffusion): 從025um以下的製程，元件之間是利用較先進的STI(Shallow Trench Isolation)LOD是Length of Diffusion的缩写，当拥有相同的Gate Length和Gate Width的两个MOS,因为扩散区长度不同造成其电流不同所产生的效应为LOD效应。如下图，两个MOS (A和B)其Gate Length G

LOD的概念LOD是Length of Diffusion的缩写，当拥有相同的Gate Length和Gate Width的两个MOS,因为扩散区长度不同造成其电流不同所产生的效应为LOD效应。如下图，两个MOS (A和B)其GatLOD效应主要是在Diffusion的边界上影响较大。若是两个等比例的MOS做match (diff-pair),可以采用不共OD Layout,这样它们的LOD Effect是一致的。若是不等比例M

采用本方法能够消除版图参数相同的两个晶体管器件，采用基本电流电压模型和LOD效应模型提取的测试数据存在差异，导致LOD模型的实测数据与仿真数据无法完全拟合的1.本技术涉及半导体技术领域，特别是涉及一种lod效应模型的优化方法、集成电路的制造方法。背景技术：2.lod(length of diffusion)是晶体管器件在沟道延长线方

LOD效应对于利用STI作隔离的深亚微米CMOS工艺制程技术，STI沟槽中填充的是隔离介质氧化物，由于硅衬底和隔离介质氧化物的热力膨胀系数不同，导致STI会产生压应力挤压邻近MOS的有源区，集成电路中的WPE 和LOD 效应WPE WPE, 也即Well Proximity Effect, 其原理可以参见下图：集成电路制造过程中，在对阱作离子注入时，注入的离子与阱区周围的光刻胶发生溅射

LOD效应：由于STI到多晶硅栅poly的距离也就是器件有源区长度的不同，应力对器件的影响也不同，因此叫做扩散区长度效应，如下图，有源区OD的长度越大，STI对器件的应力影响越小。因此，如果另外，由于应变硅技术的引入(之后有空写个推文专门介绍一下),PMOS源漏有嵌入锗硅以提高PMOS的速度，它也是LOD效应产生的一个原因，因为它会收到源漏区OD长度的影响，如下图所示。这篇