长江存储芯片几纳米,长江存储几nm制程

长江存储芯片几纳米,长江存储几nm制程

?﹏? 前段时间，长江存储推出了UFS3.1规格的通用闪存芯片—UC023。目前NAND闪存最高规格也就是UFS3.1,至于UFS4.0,三星都还只提出个概念，没有量产交付，预计是年底甚至更晚，而3D NAND闪存当从上面的对比数据来看，长江存储512Gb 128层Xtacking 2.0 TLC NAND芯片的单位存储密度达到了8.48Gb/mm²,远高于三星的6.91Gb/mm²、美光的7.76Gb/mm2、SK海力士的8.13Gb/mm²,达到了目前业界最高单

∪ω∪ 长江存储的3D NAND闪存芯片工艺制程已经迈向14nm级别。闪存颗粒并不像手机芯片那样，对纳米工艺要求那么高。3D flash的堆叠层数和存储密度更为重要，相反更大的制程，耐久度更高。fla长江存储混出头就是在此时：长江存储跳过了96层的技术节点，直接从64层升级到128层，直接追平了美光和海力士，仅落后于136层的三星和144层的英特尔。最重要的是，长江存储的技术路线和海外大厂的

就目前来看，3D闪存最适合的制程节点是20nm。铠侠用的是19纳米，美光和英特尔是20纳米，长江存储用的长江存储企业级PCIe 4.0 NVMe 固态硬盘企PE310 长江存储UFS 3.1 嵌入式存储UC023 介绍长江存储晶栈Xtacking®技术介绍长江存储公司五周年主题曲《长存芯途》长江存储消费级新品：致态TiPro700

原标题：4.6亿元！长江存储喜迎第一台光刻机：可造14nm 3D闪存中芯国际花了1.2亿美元从荷兰ASML买来一台EUV极紫外光刻机，将来可用于消费7nm工艺芯片，而依据最新存储芯片其实分为两个功能区的，一个是负责存储数据的单元，一个是读取/存入数据的单元，这两块是相互独立，但又紧密联系的。而长江存储在不断的研究中发现，如果读取/存入数据的单

我们要知道，目前我国部分芯片公司已经初步具备了12纳米芯片的工业制造能力。而长江存储的国产存储芯片128层3D闪存也已经进入量产阶段，此芯片拥有业界最高单2月20日，根据最新消息爆料称，合肥长鑫今年就要投产17纳米工艺的DDR5内存芯片。当然，当下的合肥长鑫也并不是说没有投产存储芯片，只不过目前依旧是以DDR4、LPDDR4为主。那么，DDR