d5n50场效应管参数,kf5n50场效应管参数

5n50场效应管代换 2023-06-04 15:48 546 墨鱼

5n50场效应管代换

d5n50场效应管参数,kf5n50场效应管参数

场效应管TSD5N50M,厂家出品，电子元件配套深圳市镁好电子科技有限公司5年月均发货速度：暂无记录广东深圳市福田区¥0.49 信安TSD5N50M 进口5A 500V TO-252 MOS管深圳市信安源d5n50场效应管采用的是高通骁龙888处理器，这款处理器的跑分达到了85万分，性能十分不错。另外，它采用的是三星五纳米的结构工艺，支持满血的闪存以及内存，它后置

型号：LND5N50 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):30 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】5 A 漏极和源极电压(VDSS):500 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):1.6 Ω 封装：TO-220阿里巴巴为您找到超过16条d5n50mos场效应管产品的详细参数，实时报价，价格行情，优质批发/供应等货源信息，还能为您找到d5n50mos场效应管在淘宝、天猫、京东、亚马逊的同款货源，您还可以找等产品信息。

FQP13N50 (MOSFET) 500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220 用于75W/125W 产品FQPF13N50 (MOSFET) 500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220F 用于75W/125W 产品FQD5N50C (MOSFET) 500V/5A/1.4N沟带阻尼二极管、500V、4A、开关速度50ns。用途：开关，放大。

500v5a场效管N沟SFD5N50(参数管脚代换)SFD5N50是深鸿盛一款N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，采用业界领先的VDMOS工艺技术制造而成，主要用于高速风筒，TO-252-2L封装，丝印SFD5N50,额定电压500技术参数品牌：FAIRCH 型号：FQD5N50CTM 封装：TO-252(DPAK) 批次：08+ 数量：10000 RoHS: 是产品种类：电子元器件最小工作温度：-40C 最大工作温度：125C 最小电源电压：4.5V

后台-插件-广告管理-内容页尾部广告（手机）

标签： kf5n50场效应管参数