20n65场效应管引脚图,el817引脚说明图

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产品类型场效应管产品型号20N65极性NPN 漏源电压650V漏极电流20A封装TO-220,ITO-220,ITO-220L,TO-3P,TO-3PN 20N65场效应管常用封装有：TO-220,TO-3PN 20N65(多封装)规格书查看下载PTA20N65 器件型号：PTA20N65 器件类别：分立半导体MOS(场效应管) 文件大小：827KB,共9页厂商：丽隽(PIP) PIP-Semi成立于美国科罗拉多州的一家高科技公司。公司研发团队来自仙童、IR、TFSS,自2003年

20N65在ITO-220AB封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为0.42Ω,是一款N沟道高压MOS管。20N65的最大脉冲正向电流ISM为80A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,其工作时耐温度范围为-55编辑-Z ASEMI高压MOS管20N65参数：型号：20N65 漏极-源极电压(VDS):650V 栅源电压(VGS):30V 漏极电流(ID):20A 功耗(PD):239W 储存温度(Tstg):-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻(RDS(ON)

判定栅极G：场效应管管脚图接线图将万⽤表拨⾄R&TImes;1k档，⽤万⽤表的负极任意接⼀电极，另⼀只表笔依次去接触其余的两个极，测其电阻。若两次测得的电阻值近似相等，则负型号：20N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：20A 漏源击穿电压：650V RDS(ON)Max:0.42Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管漏电流：ua

Junction and Storage Temperature Range 温度范围：55~+150℃ 20N65场效应管/TO-220封装尺寸：20N65场效应管/TO-220F封装尺寸：20N65场效应管/TO-252封装尺寸：〈烜芯微/XXW〉专业YGF20N65T1 YGF20N65T2 TO-220F 全新现货MOS场效应管功率管深圳市福田区诚彬微电子商行8年月均发货速度：暂无记录广东深圳市¥2.60成交53580个台产MY20N65F FQPF20N65C TO-22