sram的读写原理,sram的发展历程

sram的读写原理,sram的发展历程

SRAM的每一bit存储在由4个场效应管M1,M2,M3,M4构成的两个交叉耦合的反相器(如图1中深灰色的部分)中。另外两个场效应管(M5,M6)是存储基本单元到用于读写的位线(简言之，6T SRAM的写是利用外部电压改变bit-cell的锁存电荷值，而读是bit-cell的内部锁存电荷值去驱动外部相同电位的BL、BL’bit-cell的驱动能力有限，因此需要sense amplifier

上面就是SRAM的读写和保持操作了，下面给大家介绍一下蝴蝶图butterfly curve。Butterfly curve是能体现SRAM稳定性的重要指标，准确的来说是butterfly curve中内二、SRAM基本原理2.1、SRAM结构图SRAM结构图corecells array:存储单元阵列decode:行列地址译码器Sense Amplifier:灵敏放大器conntrol circuit:控制电路FFIO:缓冲/驱动电路

SRAM的工作原理图解，SRAM中的每一bit存储在由4个场效应管(M1, M2, M3, M4)构成两个交叉耦合的反相器中。SRAM六管结构的工作原理注：其实CMOS静态反相器等价于一个非门！SRAM cell 6T等价于SR锁存2. SRAM芯片的读写操作概述从Dout 引脚读取1bit 数据需要以下的步骤：▲ SRAM 读取操作1)通过地址总线把要读取的bit 的地址传送到相应的读取地址引脚(这个

≥＾≤ BL(Bit Line)为位线，用于读写数据。WL(Word Line)为字线，用于控制读写操作。SRAM中每一bit的数据存储在由M1,M2,M3和M4组成两个交叉连接的反相器中(即图中的Q端SRAM中的每一bit存储在由4个场效应管(M1, M2, M3, M4)构成两个交叉耦合的反相器中。另外两个场效应管(M5, M6)是存储基本单元到用于读写的位线(Bit Line)的控制开关。SRAM的设计一