bt138 800e可控硅参数,bt138参数说明

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可控硅BT138的参数：◎通态方均电流IT(RMS):12.0A ◎通态浪涌电流ITSM:120A ◎正向耐压VDRM:>800V ◎反向耐压VRRM:>800V ◎触发电流IGT:<10/10/10/25mA ◎通态BT138-800E TRIACs,12.0A,800V,TO-220,IGT(I/II/III)<10mA 产品简介【品牌】KGD 【品名】12A四象限双向可控硅(TRIACs) 【型号】BT138-800E 【电流】12.0(A) 【电压】8

一、bt138 800e可控硅参数作用

BT138-800E NXP (恩智浦) TRIACs NXP BT138-800E 三端双向可控硅，800 V, 25 mA, 5 W, 1.5 V, TO-220AB, 105 A查看详情TO-220 2012年¥6.147 数据手册(4) 规格参数BT138-800E国产大芯片双向可控硅12A800VBT138直插BT138-800E采用国产大芯片封装，封测后实测参数12A800V。价格订货量￥0.60 ≥10PCS 发货地广东深圳发货期限2天内发货供货总

二、bt138800e可控硅参数

1.高压能力：BT139-800E设计用于处理高压，最大重复关断状态电压(VDRM)为800V。这使得它适用于需要高电压开关和控制的应用。2.高电流能力：这种三端双向可控硅开关可以处理高电流，最BT138-800E 文件大小89.91Kbytes 页面数量12页功能描述12 A four-quadrant triacs, sensitive gate 双向可控硅RAIL TRIAC 数据手册下载地址一下载地址二到原厂下载生产厂商N