irfp250n资料,irfp250n场效应管参数及代换

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╯▂╰ IRFP250N采用的管子为铝包管，形状是T0-220AB封装，能容纳500W的耐压，具有较低的漏电流，2.8A的负载电流，可以容纳200V。此外，它还具有良好的阻燃性和电磁兼容性。其次，IRFP250N部件名IRFP250N 下载IRFP250NClick to view 文件大小122.3 Kbytes 页8 Pages 制造商IRF [International Rectifier] 网页http://irf 标志功能描述PowerMOSFET(Vdss=2

N-通道功率MOSFET IRFB7437 | N-通道功率MOSFET BAT15-02LRH | RF Mixer and Detector Schottky Diode IKW30N65ES5 | IGBT 单管IRFB7446 | N-通道功率MOSFETIRFP250N中文资料功能介紹中文： 功能介紹英文：HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.075 Ohm, ID = 30A 品牌：IR 封装：引脚：功能介紹中文： 功能介紹英文

FET 类型：N 通道漏源电压(Vdss): 200V Vgs(最大值): ±20V 功率耗散(最大值): 214W(Tc) 工作温度：-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型：通孔封装/外壳：TO-247-3 PDF资料电子管-场IRFP250中文资料1/8 Sep 2000IRFP250 N-CHANNEL 200V - 0.073Ω - 33A TO-247 PowerMesh™II MOSFET s TYPICAL R DS (on) = 0.073Ω s EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY s 1

⊙▽⊙ 型号：IRFP250N 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):214 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】30 A 漏极和源极电压(VDSS):200 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.075 Ω 封装：TInfineon(英飞凌)IRFP250N参数(TO-247AC N-Channel 200V 30A 75mΩ,封装：TO-247),IRFP250N中文资料和引脚图及功能表说明书PDF下载(8页，181KB),您可以在IRFP250

╯▂╰ 商品名称型号数量品牌封装/批号价格供应商PDF资料操作IRFP250NPBF 场效应管INFINEON 封装TO-247-3 批次21+/22+ IRFP250NPBF 2000 INFINEON TO-247-3 ￥0.8700元产品型号：IRFP250N,生产商：IR,简要描述：N沟道场效应管30A200V,由深圳市通络科技电子有限公司代理销售IRFP250N库存，采购IRFP250N现货供应商，替换IRFP250N代替品，免费查看IRFP250N.pdf,下载IRFP250N