共源极放大电路放大倍数,共射放大电路的电压放大倍数

共源极放大电路放大倍数,共射放大电路的电压放大倍数

一个很简单的三极管共射放大电路，发射极电容为10uF时，放大一个很简单的三极管共射放大电路，发射极电容为10uF时，放大倍数与理论计算值相同，但是为什么输出会波形会失真啊。改成100pF,放大倍数变分析基本放大电路要遵循“先静态，后动态”的原则，只有Q点合适，动态分析才有意义。直接耦合共射放大电路(B极输入，C极输出) 直流工作点：阻容耦合共射放大电路(B极输入，C极输出)

共源电路的电压放大倍数：K一-gmRL,式中，gm为场效应管的跨导，相当于晶体管的放大系数口，RL为负载电阻。由于共源极电路输入电阻高，电压增益大，故应用最广，但它的截止频率较低，在高频使用有源负载的缺点：一旦放大管和负载管存在电流上的不匹配，就会使静态工作点过高或者过低，不能正常工作，这也是电流镜要电流源——电压源(高阻——低阻)结构的

共源放大电路：是用得最广泛的一种电路，其中场效应晶体管是N沟道增强型MOS管，共源放大电路的放大倍数2.5倍，电路有较大的电压增益、较大的输入电阻，但由密勒效下图中T1为共源极电路，T2为共基极电路，采用直接耦合方式，所以称为共源—共基组合电路。电压放大倍数：参照上面的共集-共集放大电路图，可以分析出输入、输出电

3.2共源极场效应晶体管放大电路3.2.1电路结构模拟电子技术第3章场效应管及其应用3.2.2直流静态工作点(P84)UGSUGUS Rg2Rg1Rg2 UDDIDRS UGS2IDIDSS(1)(JFET和耗尽型MOS管)UGS(offU G S Q U_{GSQ}UGSQ​对共源放大电路电压放大倍数的影响电路搭建(采用增强型MOSFET)恒流区i D = I D O ( U G S U G S ( t h ) − 1 ) 2 i_D=I_{DO}(\frac{U_{GS}}{U_{GS(th)}}-1)^

ˇ﹏ˇ (2)按照本课件图3-7连接一个结型场效应管共源放大电路。调节Rs使VGSQ=-0.2V,测量并记录VDSQ、IDQ。已知输入正弦波信号有效值Vi=150mv f=1000HZ VDD=12V RL=20kΩ,选2SK163(N沟道耗MOSFET放大电路也有三种组态，分别是共源极，共漏极，共栅极，详细细节如下图三种组态放大电路：三种组态动态性能比较：以共源为例分析放大电路由于msofet是非线性器件，这样就使得放