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推挽IGBT驱动电路 |
ir2110典型应用电路,ir2110全桥逆变电路
IR2110是一种性能比较优良的驱动集成电路,它的自举悬浮驱动电源可同时驱动同一桥臂的上、下两个开关器件,驱动电压高达500 V,工作频率为500 kHz,并具有电源欠压保护关断逻辑。IR2110IR2110是一款高性能的双路低/高侧驱动器,适用于驱动MOSFET、IGBT等功率半导体器件。它具有以下特点:1. 高速驱动:IR2110具有高速驱动能力,能够在短时间内将MOSF
(1)在BUCK变换器中的应用。图3-23为采用IR2110驱动BUCK变换器中的MOSFET。对自举电容的初始充电是由Ucc电源通过电感和滤波电容进行的。为了确保对自举电容充电IR2110具有一定的死区时间,其大小为10 ns且不可外调,而实际使用中,MOSEFT管的关断时间比开通时间有时还要比10ns大,此时就需要外加延时电路来加大死区时间,以防
˙▽˙ IR2110典型应用电路图如图2所示。图2中的C1、C3和C4均为各电源与地之间的电容,其作用是利用电容的储能防止电压有大的波动,一般根据具体情况取10 μF~100 μF(本文设计选用10 μF);R1和R2取值均为IR2110采用先进的自举电路和电平转换技术,大大简化了逻辑电路对功率器件的控制要求,使得每对MOSFET(上下管)可以共用一片IR2110,并且所有的IR2110可共用一路独立
建议Vcc上的旁路电容用一个n1VF的陶瓷电容和一个iFeF的钽电容并联,而逻辑电源V∞上有一个o_ipiF的陶瓷电容就足够了。大电流的MOSFET或IGBT相对需要较大的栅极驱动能力,IR2110的输IR2110的典型应用电路如图2所示。R2110是一种双通道高压、商速电压型功率开关器件栅极驱动器,具有自举浮动电源,驱动电路十分简单,只用一个电源可同时驱动上下桥臂。但是IR2
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标签: ir2110全桥逆变电路
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