IRFP250M,250i和250M什么意思

MX250相当于 2023-10-16 14:59 811 墨鱼

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型号：IRFP250MPBF 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):214 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】30 A 漏极和源极电压(VDSS):200 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.075 Ω 封购买IRFP250MPBF 产品说明特征先进工艺技术动态dv/dt额定值175℃工作温度快速切换完全雪崩等级易于并行简单的驱动要求无铅描述英飞凌的红外场效应晶体管技术利用先进的加工

IRFP250MPBF;中文规格书，Datasheet资料IRFP250MPbF HEXFET ® Power MOSFET 03/01/10 Parameter Max.Units I D @ T C = 25°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V 30IIRFP250MPBF中文参数晶体管极性：N沟道漏源电压，Vds:200V 电流，Id连续：30A 在电阻RDS(上):0.075欧姆晶体管封装类型：TO-247AC 晶体管安装：通孔电压Rds测量：10V 阈值电压Vgs:4V 功耗Pd:214W

部件名IRFP250M 下载IRFP250MClick to view 文件大小2881.66 Kbytes 页8 Pages 制造商THINKISEMI [Thinki Semiconductor Co., Ltd.] 网页http://thinkisemi 标志功能描述ThinkiSemi200V,IRFP250MPBF 深圳市汇莱威科技有限公司52300 INFINEON/英飞凌TO-247 ▊▊16余年资质▊▊绝对原盒原盘▊▊代理渠道▊▊假一罚十▊▊ ▊▊现货库存▊▊ IRFP25

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