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常用场效应管参数及替代FGA25N120AND (IGBT) 1200V/25A//TO3P (电磁炉用) FQA27N25 (MOSFET) 250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 (MOSFET) 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264全新原装IRFB38N20DPBF FB38N20D 200V/43A TO-220场效应管深圳市万胜芯科技有限公司2年月均发货速度:暂无记录广东深圳市¥2.80 进口全新FB38N20D 场效应
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IRFB38N20DPBF 中文资料规格参数参数列表搜索代替器件技术参数额定功率320 W 针脚数3 漏源极电阻0.054 Ω 极性N-CH 耗散功率320 W 阈值电压5 V 输入电容2900 pF 漏源极可以,FB31N20D场效应管的主要参数是:Vdds=200V,Id=31A。而FB38N20D场效应管的主要参数是:Vdds=200V,Id=38A。并且管脚排列也是一样的。
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