碳化硅衬底的制作方法,碳化硅氮化镓

碳化硅衬底的制作方法,碳化硅氮化镓

对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。三种衬底材料：蓝宝石(AI2O3)、硅(Si)、碳化硅(SiC) (1三、碳化硅衬底碳化硅衬底(CREE公司专门采用SiC材料作为衬底)的LED芯片，电极是L型电极，电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积较大的

1、碳化硅衬底的制作方法视频

碳化硅衬底原材料的生产工艺比较复杂，主要包括原料选择、粉末制备、成型、烧结和加工等环节。其中，粉末制备是关键步骤之一，需要控制好石墨和硅粉的比例和粒度分布，以保证最终这种方法原料便宜，合成质量稳定，合成效率高。目前各家衬底厂商基本自产高纯SiC 粉末。2.1.2 晶锭生长：目前行业内以PVT 法为主，整体良率较低90%衬底企业选择PVT 法。碳化硅单晶

2、碳化硅衬底的制作方法有哪些

本发明涉及一种采用N型碳化硅衬底制作N沟道IGBT器件的方法，该方法首先在N型碳化硅衬底上外延生长碳化硅P+外延层，碳化硅N+缓冲层以及碳化硅N型漂移层，接着运用研磨方法或化学碳化硅衬底依电阻率不同分为导电型和半绝缘型两类，分别外延沉积碳化硅和氮化镓后，用于功率器件和射频器件的制作。导电型SiC衬底材料方面，作为制造SiC功率半导体器件的基材，根据Yo

3、碳化硅衬底的制作方法图片

＋▂＋ 在合成碳化硅粉后，先制作碳化硅晶锭，然后经过切片、打磨、抛光得到碳化硅衬底，经外延生长得到外延片。外延片经过光刻、刻蚀、离子注入、金属钝化等工艺得到碳化硅晶圆，将晶圆切割成d具体来讲，若碳化硅晶锭的(0001)晶面与碳化硅晶锭的第一平面的夹角不在预设夹角值范围内，则可以通过调节碳化硅晶锭的角度，即调节碳化硅的晶锭的(0001)面，或者可以通过调节第一激光束

4、碳化硅衬底用途

不同于传统硅基器件，碳化硅器件不可直接制作于衬底上，需先使用化学气相沉积法在衬底表面生成所需薄膜材料，即形成外延片，再进一步制成器件。其中，导电型衬底即在碳化硅衬底上38.碳化硅衬底的制备方法，包括如下步骤：39.1)将石墨片或蓝宝石片和碳化硅衬底切面做打磨处理，粗糙度均小于2nm。40.2)先对碳化硅衬底做离子(氢离子或氦离子)注入，深度在1μm-10μm