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∪^∪ 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A(Tc) 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:3mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道参数参数阿里巴巴进口KND2803A 芯片TO-252 MOS场效应管N沟道30V 150A,为您找到进口KND2803A 芯片TO-252 MOS场效应管N沟道30V 150A淘宝、天猫、京东、亚马逊同款货源,欲了解更多相关货源详细信息,

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