场效应管ciss是什么意思,11n65场效应管代换

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不同Vds 时输入电容(Ciss)(最大值): 10470 pF @ 50 V 功率耗散(最大值): 517W(Tc) 工作温度：-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型：通孔封装/外壳：TO-247-3 PDF资料电子管-场效应管-场效应管参数符号及意义cds---漏-源电容cdu---漏-衬底电容cgd---栅-源电容cgs---漏-源电容ciss---栅短路共源输入电容coss---栅短路共源输出电容crss---

IDSM —最大漏源电流.是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-漏场效应管英文缩写：FET(Field-effect transistor),简称为场效应管，是一种高输入阻抗的电压控制型半导体。场效应管也是一种晶体三极管，也有三个极，分别叫源极S,

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点：具有输入电阻高(100MΩ～1 000MΩ)、是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss-

三、场效应管参数符号意义Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系BRT是指偏置电阻内置型晶体管。BJT通常配合电子设备中的电阻器使用。使用BRT(集成了晶体管和电阻器)可以减少安装面积。JFET:结型场效应晶体管(1)在N沟道结型场效应晶体管(图3-3(a

∩△∩ VGS的驱动电压来临瞬间(上升沿),Ciss(Cgs+Cgd)相当于对地短路，所以峰值的Igs=Vgs/(Rg+r),r为驱动电路的内阻，所以GS的瞬态峰值电流达到安培级别不足为奇。图1.7,MOSFET导通过程中的场效应管的参数符号和中文意思详细比照Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输