场效应管常用型号,常用场效应管型号及参数

场效应管常用型号,常用场效应管型号及参数

常用场效应管型号及参数表(三)2609IRFF111IR N60 3.515TO-205AF2610IRFF112IR N100 3.015TO-205AF2611IRFF113IR N60 3.015TO-205AF2612IRFF120IR N100 6.020TO-205AF2613IRFF121IR 常用场效应管型号及参数表(三)2609IRFF111IR603.515TO-205AF2610IRFF112IR1003.015TO-205AF2611IRFF113IR603.015TO-205AF2612IRFF120IR1006.020TO-205AF2613IRF

2N06L5 场效应管TO-263/262 INFINEON 2N0807 场效应管TO-263/262 INFINEON 2N120CN 场效应管TO-263/262 HARRIS/FAIRCHILD 2SJ0441 场效应管TO-263/262 PANA1、K3878是场效应管，型号命名，有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。2、第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟

场效应管及三级管型号大全晶体管型号IRFU020 IRFPG42 IRFPF40 IRFP9240 IRFP9140 IRFP460 IRFP450 IRFP440 IRFP353 IRFP350 IRFP340 IRFP250 IRFP240 IRFP15常用场效应管型号及参数表(三) 2609 IRFF111 IR N 60 3.5 15 TO-205AF 2610 IRFF112 IR N 100 3.0 15 TO-205AF 2611 IRFF113 IR N 60 3.0 15 TO-205AF 2612 IRFF120 IR N 100

场效应管型号大全场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属- 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor 2N7002为N沟道增强型场效应晶体管，漏极电流Id 最大值为280mA，电压，Vds 最大为60V。IR2113 IR2113