irfp250N资料详细参数,250场效应管250n250m比较

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IRFP250N是一款N沟道MOSFET器件，具有极低的导通电阻和高的开关速度，常用于功率放大器、开关电源、DC-DC变换器和PWM调光等领域。该器件最大耐压为200V，最大漏极IRF250N场效应管是一种高电压、高功率的MOSFET管，其最大电压可达200V,最大电流可达30A,功率可达180W,具有较高的开关速度和低阻抗。本文将从IRF250N场效应管的参数、特性、应

全国服务热线：13534146615 首页»壹芯微产品中心»三极管»插件三极管»插件三极管IRFP250NPBF参数PD最大耗散功率：214WID最大漏源电流：30AV(BR)DSS漏源击穿电压：200VRDS(ON)IRFP250N采用的管子为铝包管，形状是T0-220AB封装，能容纳500W的耐压，具有较低的漏电流，2.8A的负载电流，可以容纳200V。此外，它还具有良好的阻燃性和电磁兼容性。其次，IRFP250N

IRFP250NPBF中文参数晶体管极性：N沟道漏源电压，Vds:200V 电流，Id连续：30A 在电阻RDS(上):0.075欧姆晶体管封装类型：TO-247AC 晶体管安装：通孔电压Rds测量：10V 阈值电压Vgs:4V 功耗Pd:214W Infineon(英飞凌)IRFP250N参数(TO-247AC N-Channel 200V 30A 75mΩ,封装：TO-247),IRFP250N中文资料和引脚图及功能表说明书PDF下载(8页，181KB),您可以在IRFP250

IRFP250N中文资料系统标签：中文drain资料gatevoltagesource IRFP250NHEXFETPowerMOSFET10/09/00ParameterMax.Units25CContinuousDrainCurrent,10V30100CCont指标参数ParametricsIRFP250N Budgetary Price €/1k 1.11 ID (@25°C) max 30 A Mounting THT Operating Temperature min max -55 °C 175 °C Ptot ma