irf830场效应管代换,irf1407场效应管代换

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FQP5N50C (MOSFET) 500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代：IRF830,用于35W FQPF5N50C (MOSFET) 500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代：IRF830,用于35W FQP9N50C (MOSFET) 500V/9A/135W/0.6IRF830：漏极与源极间电压VDSS：500V 漏极电流ID：4.5A 漏极最大电流IDM：18A 栅极与源极间电压VGS：±20V 场效应晶

⊙△⊙ 例如IRF830B场效应管，应用广泛，但其价格相对昂贵，令不少电器厂家无法压低生产成本。飞虹FHP830/FHF830高压MOS管在性能和质量上可以完美替代IRF830B场效应管，属于N沟道增强型高压功为什么说FHF830是可以直接跟IRF830B型号对标替代使用呢？我们可以先来看看这一款FHF830场效应管的特点：漏极直流电流5A、漏-源电压500V、导通电阻RDS(on) = 1.5Ω(max)@VGS= 10 V低

⊙＾⊙ IRF系列场效应管参数代换2 ‎‎‎ ‎‎‎‎ ‎‎‎‎ ‎‎‎‎‎ IRF‎710 4‎00 3.‎6 2 3‎6 TO-‎220AB‎2SK2‎862 I‎R ‎‎‎‎‎ IRF‎7101 ‎20 0.‎1 3(MOSFET) 500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代：IRF830,用于35W FQP9N50C (MOSFET) 500V/9A/135W/0.6Ω/TO220 替代：IRF840,用于75W FQPF9N50C (MOSFET) 500V/9A/44W/0.6Ω/TO-22

•FHP3205低压MOS管可保护电路替代IRF1010E场效应管使用5652 •请问DAC8581是否已经停产？可以用那颗IC替代？1244 •再热管腐蚀后可以用哪种涂层防腐9 型号：IRF830 类型：N沟道场效应管(绝缘栅型) 耗散功率(PD):75 W 漏极电流(ID):4.5 A 漏极和源极电压(VDSS):500 V 更多N沟道场效应管(绝缘栅型)FS22SM-92SK22252SK6362SK2062YT

(｀▽′) 型号IRF830 技术参数品牌：IR 型号：IRF830 封装：TO220 批次：06+ 数量：695 RoHS: 是产品种类：电子元器件最小工作温度：-50C 最大工作温度：80C 最小电源电压：1.5V 最大电我们参照了市场上面的MOS管型号后，发现除了有IRF830B、5N50这三款型号外，irf830b型号场效应管替代型号实际上还有FHF830这一款型号是可以使用150W逆变器后级电路中的。目前这款FHP830为N沟道增强