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MMBT3906具有高漏电流的特性，可以提高电路的增益和灵敏度。3、高分辨率MMBT3906具有高分辨率，适用于电子设备对精度要求较高的场合。4、大输入电阻MMBT3906具有大输入电阻NTF2955T1G是一款N沟道MOSFET晶体管，其主要技术参数如下： - 额定电压：60V - 额定电流：3.5A - 导通电阻：0.1Ω - 封装形式：SOT-223 NTF2955T1G广泛应用于电源管理、电机控制、照

BC546A 1At SOT323 BC846AW N BC546A 1B SOT23 BC846B NPN 1B SOT23 BC846B N BC546B 1B SOT23 FMMT2222 NPN 1B SOT23 FMMT2222 N 2N2222 1B SOT23 IRLML2803336 NDS336N Fch M SOT23 p-ch mosfet 0.27A, 1.2A pk, 20V 337 NDS337N Fch M SOT23 n-ch mosfet 50 mA, 2.5A pk 20V 338 NDS338N Fch M SOT23 p-ch mosfet 0.13A, 1.6Apk 2

NTMFS5C612NLT1G中文参数制造商：onsemiId-连续漏极电流：235 A 产品种类：MOSFETRds On-漏源导通电阻：1.5 mOhms 技术：SiVgs - 栅极-源极电压： 20 V, + 20 V 安装风格：SMD/SMTVgs th-栅源极阈值电MMBF4393LT1G是安森美on的一款N沟道MOSFET晶体管，其技术参数如下：- 额定电压：30V - 额定电流：50mA - 静态漏电流：1nA - 电阻：10Ω - 封装：SOT-23 MMBF4393LT1G