大功率场效应管参数大全,直流变直流叫什么电路

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场效应管参数大全K2078 800V 9A 150W N K2082 900V 9A 150W N K2134 200V 7A 70W N K2139 600V 5A 35W N K2141 600V 6A 40W N K2161 200V 9A 25W N K2333 700V 6A N K2487 9场效应管的主要参数1.开启电压UT (MOSFET) 通常将刚刚形成导电沟道、出现漏极电流ID时对应的栅一源电压称为开启电压，用UGS(th)或UT表示。开启电压UT是MOS增强型管的参数。当栅一源

∩ω∩ 1.型号后面有“P)”者为P沟道场效应管，型号后面有“※”号者为NPN型IGBT管，“※”号后有“P)”者为PNP型IGBT管。2.表中VDS(VCE指IGBT管，下同)表示源极(集电关键字：场效应管参数(2) 常用大功率场效应管参数120种型号耐压(V) 电流(A) 功率(W) 型号耐压(V) 电流(A) 功率(W) 2SK534 800 5 100 2SK1045 900 5 150 2SK53

6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM—最大漏源电流。是一1、常用功率场效应管参数大全型号参数IRFP25423A 250V 200WIRFP26046A 200V 280WIRFP26438A 250V 280WIRFP34010A 400V 180WIRFP25033A 200V 190WIRFP35016A

输入偏置电流与制造工艺有一定关系，其中双极型工艺(即上述的标准硅工艺)的输入偏置电流在±10nA~1μA之间；采用场效应管做输入级的，输入偏置电流一般低于1nA。文档标签：114种大功率场效应管的参数46 系统标签：场效应管大功率参数耐压(V电流(A功率(W2SK53480051002SK104590051502SK53890031002SK108180071252SK5575