原文拼音版背诵 离lí思sī 曾céng经jīng沧cāng海hǎi难nàn为wèi水shuǐ, 除chú却què巫wū山shān不bú是shì云yún。 取qǔ次cì花huā丛cóng懒lǎn回huí顾gù, 半...
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pn结导电特性 |
pn结的物理特性,pn结的原理是什么
PN结除具有非线性电阻特性外,还具有非线性电容特性,主要有势垒电容和扩散电容。1、势垒电容:势垒区类似平板电容器,其交界两侧存储着数值相等极性相反的离子电荷,电荷量随外加电压而变化,称为势pn结的基本特性是单向导通、反向饱和漏电或击穿导体,也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理,所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。比如二极管
PN结的击穿特性如图所示,当加在PN结上的反向电压增加到一定数值时,反向电流突然急剧增大,PN结产生电击穿—这就是PN结的击穿特性。发生击穿时的反偏电压称为PNpn结具有单向导电性。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。N型半导体(N为Negative的字头,由于电
pn结的特性:正向导通,反向截止。当正向电压达到一定值时(硅管0.7V,锗管0.3V)左右时,电流随电压成指数变化。与电阻相比它是具有非线性特性的,因此它的特性曲线一般是非线性的;有两半导体PN结的物理特性实验报告姓名:**:12307110123专业:物理学系日期:2013年12月16一、引言半导体PN结是电子技术中许多元件的物质基础具有广泛应用,因此半导
PN结及其特性详细介绍1. PN结的形成在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:扩散由半导体物理学可知,PN结的正向电流一电压关系满足(1)式(1)中I是通过PN结的正向电流,是不随电压变化的常数,T是热力学温度,e是电子的电荷量,U为PN结正向压降。由于在常温(300
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