irfp250n场效应管引脚,irfp260n用什么电路推动

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IRFP250N采用的管子为铝包管，形状是T0-220AB封装，能容纳500W的耐压，具有较低的漏电流，2.8A的负载电流，可以容纳200V。此外，它还具有良好的阻燃性和电磁兼容性。其次，IRFP250NInfineon(英飞凌)IRFP250N参数(TO-247AC N-Channel 200V 30A 75mΩ,封装：TO-247),IRFP250N中文资料和引脚图及功能表说明书PDF下载(8页，181KB),您可以在IRFP250

产品型号IRFP250N 品牌IR 封装TO-247AC 价格电询描述N沟道场效应管200V 30A 75mOhm 查看资料IRFP250N 购买IRFP250N 产品说明产品种类：MOSFET 制造商：Infineon RoHS: 符IRFP250N中文资料功能介紹中文： 功能介紹英文：HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.075 Ohm, ID = 30A 品牌：IR 封装：引脚：功能介紹中文： 功能介紹英文

用途IRFP250N 类型其他IC 型号IRFP250N 货号IRFP250N 产品展示PRODUCT DISPLAY 应用领域APPLICATION FIELD 深圳市云灿芯科技有限公司专业电子元器件一站本产品的品牌是IR/国际整流器，型号是IRFP250N,种类是结型(JFET),沟道类型是N沟道，导电方式是耗尽型，用途是A/宽频带放大，封装外形是CER-DIP/陶瓷直插，材料是GE-N-FET锗N沟道

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˙０˙ 产品型号IRFP250NPBF 品牌IR 封装TO-247AC 价格电询描述场效应管查看资料IRFP250NPBF 购买IRFP250NPBF 产品说明产品种类：MOSFET 制造商：Infineon RoHS: 符合RoHS 详细信息技术：Si 型号：IRFP250N 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):214 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】30 A 漏极和源极电压(VDSS):200 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.075 Ω 封装：T