dram指令速率 1n和2n,command rate 1n 2n

主时序配置1n2n 2023-06-04 18:00 953 墨鱼

主时序配置1n2n

dram指令速率 1n和2n,command rate 1n 2n

＋▽＋第四个参数经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate(命令速率),通常为2T或1T,也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存储存储器速度的延迟时间。较低的数字通常意味着更内存时序通常被写为破折号分隔开的四组数字，例如下图的内存铭牌上标注的“16-18-18-38”就代表内存时序。当然也有的内存只标注前三个数字的，还有些标注五个数

2N的高速计数器必须在扫描线圈的时候才刷新当前值、标志位、方向位。不扫描的话什么都不更新。1N的话，只要用初始化子程序执行解释一下：DRAM Command Rate （内存命令速率）一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于DDR内存在寻址时，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号

●０● 第四个参数(RAS)经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate(命令速率),通常为2T或1T,也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间(延迟时间)。较低的数第四个参数经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存储存储器速度的延迟时间。较低的数字通常意味

在进入自刷新模式时，DRAM可能会从1/4速率模式切换到1/2速率模式(2N to 1N),其会自动复位到1N模式。通过其它命令将速率从2N切换到1N模式(包括利用MRS命令设置MR3的A3从1变为0)意味着宏旺半导体了解到，第四个参数经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate(命令速率),通常为2T或1T,也写作2N、1N。CL对内存性能的影响是最明显的，所以很

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