并联IGBT管均流,单管并联

并联IGBT管均流,单管并联

(#｀′)凸 驱动电动机IGBT单管并联技术，可以在降低成本的同时为平台化开发提供便捷，而且更利于布置设计结构以及整车前驱和后桥驱动。从均流、温升和耐久试验等方面结合测试结果，详细介绍单管IGBT并联应用的均流分析

在IGBT并联问题中，首先需要讨论的就是发射极环流问题，首先我们介绍一下这个现象。以并联的IGBT的上管为例，由于某一种或多种因素的不对称或不同步，造成桥臂的中点(A点和B点)在IGBT开IGBT模块并联技术已被广泛应用于电力电子行业。无论是受限于单模块电流能力不足，还是并联方案更具成本优势，或是系统扩展性、系列化需求，越来越多的应用需要IGB

并联IGBT 柵极电压Vge的差异；IGBT静态均流需要考虑直流母排等效电阻和交流母排等效电阻。影响IGBT动态均流的因数：IGBT并联模块的开通门槛电压Vgeth的差异，Vgeth越高，开通时刻越IGBT与FRD、晶闸管等无元胞器件相比，天生就是并联的。模块封装中更是需要多芯片并联。正是因为并联，才使得IGBT器件的功率容量得以扩展。可以说，没有并联，就不

IGBT管并联均流技术分析BJT 管并联均流技术分析普通的功率MOSFET因为内阻低、耐压高、电流大、驱动简易等优良特性而得到了广泛应用。当单个MOSFET的电流或耗散功率不满足设最后，和静态工作一样，IGBT模块之间的温差会影响并联均流。因为动态IGBT参数受温度的影响，从而影响并联的均流。因此，控制并联模块基板的温度尽可能均匀有利于IGBT并联动态均流。为了

均流igbt并联关断跨导栅极IGBT并联应用中的均流问题经验交流IGBT并联应用中的均流问题为了增大整机的电流容量，IGBT可以并联运行.在IGBT的并联运行中，并联支igbt并联均流-GBT 是三端器件，芯片内部结构包含有栅极、集电极和发射极，等效电路如图2-1所示，在IGBT的栅极G和发射极E之间加+15V标准电压，则IGBT导通，如果集电极有上拉电阻，集电极和