单晶硅引颈前找温度步骤,单晶调温的流程

单晶硅引颈前找温度步骤,单晶调温的流程

本发明涉及硅单晶生长技术领域，具体而言，涉及一种不收尾的直拉单晶方法及硅单晶.该方法采用籽晶和硅熔体，依次进行引颈，放肩和等径生长，等径生长结束后，降低晶体的转速和所述③引颈步骤：将籽晶旋至溶液上方进行预热，使得籽晶与液态溶液面相距30mm左右，籽晶与石英埚反向转动，20分钟后将籽晶浸入物料中稳定10分钟，待液面温度达到引径温

将硅料装填到单晶炉内，然后加热融化形成硅熔体；将籽晶预热，待硅熔体达到引颈温度后将籽晶浸入硅熔体中并提拉籽晶进行引颈生长；待引颈生长结束后进行放肩和转肩，然后进入等径进行熔接，将旋转的籽晶下降与硅熔液浸润接触，溶液中的硅原子会随着籽晶的硅原子排列结构在固-液交界面上形成规则的结晶，随着籽晶逐步提升，经引颈、缩颈、放肩、等径控制、收尾等步骤

中心位置加热器温度最高点中心位置加热器温度最高点直拉硅单晶工艺简介稳定反复几次试温找到最佳引颈温度并记录下来引颈功率等参数。直拉硅单晶工艺简介籽晶与•设定引晶所需温度及坩埚转速并进行稳定•根据光环情况确定温度稳定情况•反复几次试温找到最佳引颈温度并记录下来引颈功率等参数。直拉硅单晶工艺简

温度合适则快速将籽晶下降至液面10-15毫米，几分钟后可以熔接，进一步调整温度，如下图所示“种晶”完成以后，籽晶应快速向上提升，晶体生长速度加快，新结晶的单晶②熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度(1420℃)以上，将

o(?""?o 1950年Teal等将该技术用于生长半导体锗单晶，然后又利用这种方法生长直拉单晶硅，在此基础上，Dash提出了直拉单晶硅生长的“缩颈”技术，G.Ziegler提出快速引颈生[0015]进一步的，所述的放肩步骤中，待引颈步骤完成后在10分钟内逐步将提升速度降到0.8mm/min~1.0mm/min。0016]进一步的，在SI步骤之前还包括调整单晶炉热系统步骤，所述的调整