功率MOSFET,功率器件原理

功率MOSFET,功率器件原理

了解将MOSFET 用作负载开关时的主要注意事项。实现FemtoFET™ MOSFET的特色产品CSD13380F3 采用0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道NexFET功率MOSFET 产品概况产品特点产品系列金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电

-12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 116 mOhm, gate ESD protection Technical resources Video series Video series MOSF功率MOSFET 是一种金属氧化物-硅场效应晶体管，旨在用于低压应用，兼顾高开关速度和卓越效率。这项创新技术是诸多应用的核心组成部分，包括消费电子产品、电源、DC-DC 转换器、电机控制器、射频(RF)

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功率MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)是非常通用的功率器件，因为它具有低的栅极驱动功率，快的开关速度和优异的并联工作能力。许多功率MOSFET具有纵向的垂直结构，源极和功率MOSFET 功率MOSFET是一种特殊类型的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),旨在处理高功率水平。与绝缘栅双极晶体管(IGBT)或晶闸管等其他功率半导体器件相比，其主要优点是开关