2n7000场效应管参数,2N7000kn是多少

2n7000场效应管参数,2N7000kn是多少

2N7000场效应管的基本参数包括：关断电压、打开电压、反向漏电流、正向传导电流、静态电晕容性等。2N7000场效应管的关断电压为0.3伏特，其电压高于0.3伏特时，2N7000会打开或关60V，0.2A，0.4W。根据查询相关公开信息显示，2N7000管子的参数是电压60V，电流0.2A，功率0.4W。2N7000类型场效应管漏极电流D0.115A漏极和源极电压（VDSS）60V封装

2N7000中文参数通道类型N晶体管配置单最大连续漏极电流200 mA最大栅源电压-20 V、20 V 最大漏源电压60 V每片芯片元件数目1 封装类型TO-92宽度4.19mm 安装类型通孔最低工作温度-55 °C 技术参数品牌：桥田型号：N沟道场效应管2N7000 MOS管TO-92 0.3A/60V (10只) 数量：8000 RoHS: 是产品种类：电子元器件最小工作温度：-10C 最大工作温度：90C 最小电源电压：4

型号：2N7000 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):【环境温度(Ta)=25 ℃】0.4 W 漏极电流(ID):【环境温度(Ta)=25 ℃】0.2 A 漏极和源极电压(VDSS):60 V 漏极和源极通态电阻(RDS(技术参数品牌：ON 型号：2N7000TA 批号：19+ 封装：TO-92 数量：30000 QQ: 271283576 制造商：ON Semiconductor 产品种类：MOSFET RoHS: 是技术：Si 安装风格：Through Hol

2N7000是一款N沟道逻辑电平MOSFET,能够切换60V电压。最大漏极电流额定值为200mA(连续),典型漏源电阻为1.2欧姆，栅极阈值电压为3V(VDS=VGS,ID毫安)。2N7000 MO2N7000 参数Datasheet PDF下载型号：2N7000 PDF下载：下载PDF文件查看货源内容描述：N沟道增强型垂直DMOS场效应管[N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs] 分类和应用：晶体晶体管开关