cs2n60场效应管参数及代换,cs12n60F场效应管代换

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20.7A.208W，H20T120、HW20T120、H20R1202、H20R1203、GT40T301。cs20N60的参数是650V.20.7A.208W，是一带阻的N沟道场效应管。根据查询相关资料信息可用H20T120、H常用场效应管参数及代换常用场效应管参数及替代FGA25N120AND (IGBT) 1200V/25A//TO3P (电磁炉用) FQA27N25 (MOSFET) 250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 (MOSFET) 250V/40A/280

CS2N60 种类：*缘栅(MOSFET) 沟道类型：N沟道导电方式：耗尽型用途：MOS-ARR/陈列组件封装外形：P-DIT/塑料双列直插材料：N-FET硅N沟道开启电压：原厂标准(V) 夹断电压：第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。第二种命名方法是CS××#

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ˋ﹏ˊ cs20n60参数及代换？场效应管cs20N60(650V/20.7A/208W)是一带阻的N沟道场效应管，应以H20T120、HW20T120、H20R1202 、H20R1203、GT40T301代换产品名称：CS2N60 MOS场效应晶体管产品类别：MOS场效应晶体管关注度：603人咨询热线：0760-22105562在线留言：对此产品询价，请点击(我要询价) 详细介绍售后服务CS2N60 MOS

cs20N60的参数是650V.20.7A.208W，是一带阻的N沟道场效应管。根据查询相关资料信息可用H20T120、HW20T120、H20R1202、H20R1203、GT40T301代换。参数：BVdss(漏源反向电压):600V ID(连续漏电流):1.5A Ptot(耗散功率):30W Rdson(通态电阻):10Ω Package:T0-251 分类索引：CM2N60CS 计算机及办公设备电脑主板鼠标键盘数