p75n02ldg场效应管代换,p75nf75场效应管参数

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场效应管MOSFET(2031) 可控硅IGBT(48) 电源/稳压器(6) 传感器(1) LED(1) 商品信息P0403BDG,MOS,25V,75A,0.004Ω P75N02LDG,MOS,25V,75A,252 MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，常用场效应管参数及替代FGA25N120AND (IGBT) 1200V/25A//TO3P (电磁炉用) FQA27N25 (MOSFET) 250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 (MOSFET) 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IR

1、常用功率MOS管代换品牌INFINEON 型号09N03LA,IPS09N03L 封装TO-251 极限电压25(V) 极限电流50(A) 沟道类型N沟道品牌INFINEON 型号09N05,SPD09N05252极限电压24v极限电流62a用途场效应管沟道类型沟道品牌st型号d70n02l封装to252极限电压24v极限电流60a沟道类型沟道品牌niko型号p70n02ldg封装to252极限电压25v极限电流70a沟道类型沟道品牌niko

型号P75N02LDG 主营产品：各种原装进口元器件，包括集成电路，二三极管，电源IC,IGBT模块，传感器，电阻电容，晶振，光电耦合，SMD,DIP系类…产品广泛应用于消费类电子、电脑及周边、型号：P75N02LD 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):65 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】75 A 漏极和源极电压(VDSS):25 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.007 Ω 封装：TO-

百度爱采购为您找到全新P75N02LDG P75N02LD 25V 75A TO252 N沟道MOS场效应管贴片ic等品牌：QYT,批号：2019+,封装：TO252,数量：1,QQ:2880072533,种类：绝缘栅(MOSFET),沟道类型：N沟道，导电方式：增强型P75N02LDG P75N02LD 主板贴片MOS管25V75A 进口大芯片贴片TO252 深圳市宝安区灵达迅电子商行8年月均发货速度：暂无记录广东汕头市潮南区¥0.50 贴片场效应