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IRFP250N代替 |
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IRFP250可以替代IRFP4229吗亲,您好,Irfp250n场效应管可以用和它参数相同、性能功率一样的场效应管Irfp268n来代换希望我的回答对您有帮助,谢谢,祝您生活愉快!IRF250是N极性MOS管,IRF250主要参数为:Vds-漏源极击穿电压:200 V、Id-连续漏极电流:30 A、Rds On-漏源导通电阻:90 mOhms、Vgs - 栅极-源极电压:20V, +20V、Pd-功率耗散:150 W、
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可以替换的型号:IRFP250MPBF 封装:TO-247 批号:2018+ 数量:16018 制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS: 是安装风格:Through Hole 封装/ 箱体:TO-247-3 晶体管极性:N-Channel 通
常用场效应管参数及替代FGA25N120AND (IGBT) 1200V/25A//TO3P (电磁炉用) FQA27N25 (MOSFET) 250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 (MOSFET) 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264IRFP250MPBF 全新原装30A/200V/214W N沟道MOS场效应管IRFP250M 深圳市福田区新亚洲电子市场二期龙源达微电子商行9年月均发货速度:暂无记录广东深圳市福田区¥10.00 IRFP250MPBFIRFP250
常用场效应管(25N120等)参数及代换FGA25N120AND(IGBT)1200V/25A//TO3P(电磁炉用) FQA27N25(MOSFET)250V/27A/TO3PIRFP254 FQA40N25(MOSFET)250V/40A/280W/0.051Ω/TO3PIRFP264 FQA55N25(MOSFET)25irfp260场效应管代换可用IRFPS40N60K代换,IRFP260参数:类型:N沟道场效应管耗散功率(PD):250 W 漏极电流(ID):38 A 漏极和源极电压(VDSS):200 V 封装:TO-247A
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