irfp140N场效应管参数代换,irf14019h参数

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＋▽＋ 型号：IRFP140 类型：N沟道场效应管(绝缘栅型) 耗散功率(PD):150 W 漏极电流(ID):30 A 漏极和源极电压(VDSS):100 V 更多N沟道场效应管(绝缘栅型)3SK134A2SK14252SK2205μPA1603IRFP140 2SK3151 描述Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3

带有"-"号的参数为P沟道场效应管，带有/的参数的为P沟道，N沟道双管封装在一起的场效应管，没注明的均为N沟道场效应管. 型号Drain-to-Source Voltage漏极到源极产品型号：IRF9540N,生产商：IR,简要描述：P沟道场效应管23A100V,由深圳市通络科技电子有限公司代理销售IRF9540N库存，采购IRF9540N现货供应商，替换IRF9540N代替品，免费查看IRF9540N.pdf,下载IRF9540N

IRF系列场效应管参数(IRFIP140-IRFP340) 型号厂家方式漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式IRFIP140 IR N 100 23 100 Iso TO-247 IRFIP150 IR N 100 31 120 I属性参数值商品目录场效应管(MOSFET) 类型N沟道漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)50A 功率(Pd)- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)- 栅极电荷(Qg@Vgs)-

功率耗散(最大值) 140W(Tc) 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型通孔供应商器件封装TO-247AC 封装/外壳TO-247-3 漏源电压(Vdss) 100 V 基本产品编号IRFP140 可售卖地功率耗散(最大值) 140W(Tc) 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型通孔封装/外壳TO-247-3 可售卖地全国类型分立半导体产品晶体管- FET,MOSFET - 型号IRFP140NPBF 技术参

ˇωˇ IRFP140N的应用功能介绍、IRFP140N参数、电路图、封装、管脚引脚图、DATASHEET,以及IRFP140N的中文资料、代换替代型号、PDF手册等。irfp140N和irfp9140N对管，哪位大神可以提供替换这两个的型号，现在温度很高容易烧坏，加散热片和风扇都不行，想找个功率高的封装相同的替代品` 0 2017-6-12 09:22:47 评论淘帖邀