场效应管irfp260开启电压,irfp260n参数引脚

场效应管irfp260开启电压,irfp260n参数引脚

场效应管drainvoltagesourcediodeavalanche IRFP260NHEXFETPowerMOSFET10/11/00ParameterMax.Units25CContinuousDrainCurrent,10V50100CContinuousDrainCurrent型号：IRFP260NPBF 批号：2016 封装：TO-247 数量：12263 QQ: 1346082250 制造商：Infineon 产品种类：MOSFET RoHS: 是技术：Si 安装风格：Through Hole 封装/ 箱体：TO-247

是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。3、UT —开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。4、gM —跨导。是表示栅源电压U GS看美了！！！那接下来我们就要调整场管的开启电压，IRF260的开启电压是3.7v~3.8v左右，批次不同的

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单IRFP260NPBF,IRFP260N 种类：结型(JFET) 沟道类型：N沟道导电方式：耗尽型开启电压：-(V) 夹断电压：-(V) 跨导：-(μS) *间电容：-(pF) 低频噪声系数：-(dB)

ˋ＾ˊ〉-# IRFP260场效应管说明场效应管的开启电压VTN一般约为+2V。场效应管：场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属- 氧

型号：IRFP260 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):280 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】46 A 漏极和源极电压(VDSS):200 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.055 Ω 封装：TO型号：IRFP260NPBF 批号：19+ 封装：TO-247 数量：20000 QQ: 3007450950 制造商：Infineon 产品种类：MOSFET RoHS: 是安装风格：Through Hole 封装/ 箱体：T