13n60场效应管参数,70n80场效应管参数

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两者均为13A、N沟道场效应功率管，只不过前者耐压是600V，而后者耐压为500V。产品参数：ITA13N60A★600130.650.45462120 产品图片：美国IPS/场效应管ITA15N50A/TO-220F/深圳华晶微电子深圳市华晶微电子有限公司是IPS功率半导体技术和产品的提供者.的中

（°ο°） 技术参数品牌：ST/意法半导体型号：STF13N60M2 批号：封装：数量：13961 QQ: 2853309758 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅/符合限制有害物质属性参数值商品目录场效应管(MOSFET) 类型N沟道漏源电压(Vdss)600V 连续漏极电流(Id)13A 功率(Pd)50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)600mΩ@10V,6.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA

∩０∩ 华盛盛辉效应13NM60N13N60600V13A场效应管【华盛辉】场效应管13NM60N 13N60 600V 13A 价格：¥1.2 券后：¥1.20 发货地：广东汕头¥1.2元去购买汕头市昇發电子进入店铺型号FCP13N60N 技术参数品牌：ON Semiconductor 型号：FCP13N60N 封装：SOP 数量：15860 制造商：ON Semiconductor 系列：SupreMOS™ FET 类型：N 通道25°C 时电流- 连续漏极

全系列场效应管参数K2843 600V 10A 45W N 07N03L 30V 80A 150W N 10N20 10A 200V N沟道MOS管10N60 10A 600V 11N80 11A 800V 156W 11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N沟道15N03L 30V 42A最实用的场效应管参数07N03L 30V 80A 150W N 10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V 11N80 11A 800V 156W 11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30

⊙＾⊙ 1、最实用的场效应管参数07n03l 30v 80a 150w n10n20 10a 200v n 沟道mos管10n60 10a 600v11n80 11a 800v 156w11p06 60v 9.4a p沟道直插13n60 13a 600 2、vhfp13n60u三极管的参数如下：硅、500V、2A、55W、RDS（on）≤5．1Ω、带阻尼；12N60C也是功率场效应管，参数：硅、600V、12A、51W、RDS（on）＝0．65Ω、带阻尼。