irfp360参数,IRFP360

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≥▂≤ IRFP360LC 1000 VGS 15V 10V 8.0V 7.0V 6.0V 5.5V 5.0V BOTTOM 4.5V TOP1000I , Drain-to-Source Current (A) DI , Drain-to-Source Current (A) D100100VGS 15V 10V 8.0V 7IRFP360 164Kb / 6P Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=23A) IRF330 146Kb / 7P TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=1.00ohm, Id=5.5A) IRF350 144Kb /

23.0A/400V型号IRFP360PBF 技术参数品牌：IR/VISHAY 型号：IRFP360PBF 批号：2020+ 封装：TO-247 数量：3500 QQ: 2850188256 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指

IRFP360中文资料功能介紹中文： 功能介紹英文：400V fast recovery epitaxial diode (FRED) 品牌：IXYS 封装：引脚：功能介紹中文： 功能介紹英文：HEXFET power MOSFET型号IRFP360LCPBF 技术参数品牌：VISHAY 型号：IRFP360LCPBF 批号：19+ 封装：TO-247AC 数量：2325 QQ: 541064034 制造商：Vishay 产品种类：MOSFET RoHS: 是技术：Si 安装风格：

型号：IRFP360 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):410 W 漏极电流(ID):28 A 漏极和源极电压(VDSS):400 V 更多N沟道场效应管18N65TW015N120C2SK437ZJ85N95FHD120N7F6A2SK1119FTP一种场效应管规格：400VSingleN-ChannelHEXFETPowerMOSFETinaTO-247ACpackage(Vdss=400V,Rds(on)=0.20ohm,Id=23A)场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）

IRFP360 中文资料规格参数参数列表搜索代替器件技术参数耗散功率280W (Tc) 漏源极电压(Vds) 400 V 输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 耗散功率(Max) 280W IRFP360PBF中文参数通道类型N晶体管配置单最大连续漏极电流23 A最大栅源电压-20 V、20 V 最大漏源电压400 V每片芯片元件数目1 封装类型TO-247AC长度15.87mm 安装类型通孔