mos尖峰吸收电路设计详解,变压器尖峰吸收电路原理

mos尖峰吸收电路设计详解,变压器尖峰吸收电路原理

尖峰吸收电路开关电源的主元件大都有寄生电感与电容，寄生电容Cp一般都与开关元件或二极管并联，而寄生电感L通常与其串联。由于这些寄生电容与电感的作用，开关所以电阻的取值是在电路调试中选择的，调试时要用示波器看MOS管D极的波形，可以明显看到尖峰电压，改变电阻就可以改变尖峰电压了，电容也可以改变尖峰电压的大小，和电阻配合使用，最终

mos管尖峰吸收电路

本文首先介绍了MOS管尖峰吸收电路的基本原理，然后介绍了该电路特性、尖峰吸收电路的分析方法以及应用实例。MOS管尖峰吸收电路是把MOS管的输出信号变换成一个宽窄的单极尖峰，设计尖峰吸收电路的目的是对开关电源中的主角开关管(有的是MOS管)起保护作用。尖峰吸收电路由电阻器、电容器和二极管三种电子元件构成，所以也叫RCD电路，R是电阻，C是电容，D是二极管

尖峰吸收电路作用

因此按照△B=0.2设计的变压器。开关频率选择80K,最大占空比选择0.48,全范围DCM,则在最低输入电压Vdc下，占空比最大，电路工作在BCM状态，根据伏秒平衡，可以得到以下公式，Vdc*Dmax=Vo开关电源脉冲尖峰吸收电路(RCD):MOS管开关瞬间存在电压尖峰，RCD电路用来吸收漏感能量，减缓电压尖峰。——变压器原边电感存在漏感(Lk),MOS管关断瞬间漏感电流不能突变，导致MOS管D极

尖峰吸收电路原理视频

?ω? 图中看出，低电平驱动靠近接地侧，高边驱动靠近电源侧，从设计难度出发，高边驱动要难于低边驱动，通常我们了解的自举电容就是用于高边驱动，个人理解，自举电容无法长时间保证栅极电平高于接上吸收电路后，经实验验证开关尖峰明显减小，管子的发热情况也有大大缓解。通过对电力MOSFET特性的探究，可知，采用合适的驱动电路以及吸收回路，准确计算器件的参数值可以使管子工作在高效状态，同

尖峰吸收电路工作原理

如图1所示，MOS管Q1、电感L0、二极管D0和电容C0构成了buck电路，电容C和电阻R构成了MOS管Q1的电压尖峰吸收电路。在MOS管Q1关断过程中，原本在MOS管中流过的大部分电流会流向电容尖峰吸收电路：开关电源的主元件大都有寄生电感与电容，寄生电容Cp一般都与开关元件或二极管并联，而寄生电感L通常与其串联。由于这些寄生电容与电感的作用，开关元件在通断工作