k2698场效应管参数,K2995场效应管参数

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最大额定参数MOS管的最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃) VDSS 最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同场校应管k2698用什么可以代替K2698参数是：N沟、500V 、15A 、150W、0.4Ω、带阻尼，可用K790来代换，这两只管子的参数完全一样，K790也很容易买到，要求不高的

场效应管参数型号封装材料用途参数KIA7N60H TO-263 NMOS 开关电源7A/600V KIA7N65H TO-263 NMOS 开关电源7A/650V KIA840S TO-263 NMOS 安定器8A/500V产品型号：K2698,生产商：TOSHIBA,简要描述：N沟道场效应管500V,350mO,15A,150W,由深圳市通络科技电子有限公司代理销售K2698库存，采购K2698现货供应商，替换K2698代替品，免费查看K2698.pdf,下载K2698

场效应管参数型号标识问题PHB 95N03LT 是N沟道的MOS 完整型号是就是PHB95N03LT 你可以到我们网站搜一下它的PDF资料。-- 我们是专业反查代码的网站，为研发维修单位提供服务，帮一、K2698场效应管的参数1.静态参数(1)漏极-源极电阻：K2698场效应管的漏极-源极电阻为0.3欧姆。2)漏极电流：K2698场效应管的最大漏极电流为10安培。3)漏极-源极电压：K26

k2698场效应管参数电流_常用场效应管参数weixin_39517400的博客1159 dangdangdz器件型号耐压电流功率2SK534---800V---5A---100W2SK538---900V---3K2698场效应管参数：场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FE