d4454场效应管技术参数,7n65场效应管参数

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技术MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 150V Vgs(最大值) ±20V 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),100W(Tc) 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型表面贴装型供应商器件封装T亲场效应管D4454的参数不一样哦场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应

您好不可以的，建议可用APM1145代换。场效应管如果是同规格型号的是可以直接代换的。不管是什么电子元件只要是同规格型号的多可以代换。d4454场效应管参数是V15020400V、3A、功率为50w。d454a的参数是400V、3A、功率为50w，可以用参数和它一样的三极管D126A来代换。D454，电流20A/，耐压40V，N沟道MOS场效应管，TO-252封装。

AOD4454 中文资料规格参数参数列表搜索代替器件技术参数极性N-CH 耗散功率2.5W (Ta), 100W (Tc) 漏源极电压(Vds) 150 V 连续漏极电流(Ids) 20A 上升时间AOD446 场效应管.PDF(193.43 KB, 下载次数：764)

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