a09t场效应管参数,AO3400场效应管参数

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⊙﹏⊙‖∣° 型号：3400A09T 类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：中频封装外形：CHIP/小型片状材质：N-FET硅N沟道工作电压：30VASEMI低压MOS管A09T/ 3400 30V的N道MOS管型号：A09T / 3400 封装：SOT-23 漏极电流(VDS):5.8A 漏源电压(ID):30V 工作温度：55℃~150℃ 封装形式：贴片种类：场效应晶体管(MOSFET/M

A09T贴片三极管，a09t芯片规格书A09T采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。A09T是一颗N沟道的低内阻场效应MOS管。来源网MOS管：SI2300 SI2301 SI2302 AO3400A AO3401A AO3402A FPG8205··· 大家都在找换一换查看详情¥1.80元广东深圳全新原装PSMN057-200P PSMN057 39A/200V TO220 MOS

型号：A09T 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):0.35 W 漏极电流(ID):5.8 A 漏极和源极电压(VDSS):30 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.052 Ω 封装：SOT-23 更多N沟道场效应管BUA09T是一颗N沟道的低内阻场效应MOS管。A09T具有比PW2302A更高的ID电流值，和更高的VDS耐压A09T基本参数：VDS = 30V，ID =5.8A，RDS(ON) < 28mΩ @ VGS=10V A09T采用SOT23-3L环保

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