相变存储器是什么,磁表面存储器有哪些

磁表面存储器不具备的特点是 2023-10-18 17:40 484 墨鱼

磁表面存储器不具备的特点是

相变存储器是什么,磁表面存储器有哪些

相变存储器(phase change memory),简称PCM,利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的。相变存储器-物理变化初次听到"相变"这个词，很多读PCM(Phase Change Memory)即相变存储器，也有人称之为PRAM (Phase-change RAM),该项技术已经有几十年的研究历史，Intel 联合创始人Gordon Moore 早在1970 年就

相变存储器是用锗锑碲(GST)合金制成的，它利用了材料在非晶态和晶态之间物理性质的快速热控变化。对应于逻辑0和1的这些状态通过非晶态(逻辑0)中的高电阻和晶态(相变存储器(PCM),以Intel和Micron联合研发的3D Xpoint为代表；铁电存储器(FeRAM),代表公司有Ramtron和Symetrix; 磁性存储器(MRAM),代表公司是美国Everspin; 阻变存储器(ReRAM),代表

相变存储器(PCRAM)是一种新型的非易失性存储器，主要指基于硫系化合物薄膜的随机存储器，利用电能(热量)使相变材料在晶态(低阻)与非晶态(高阻)之间的相互转换来实现信息的存储相变RAM的相变存储器是一种比Flash快的非易失性存储器形式。相变随机存取存储器P-RAM 是一种非易失性存储器或计算机存储，它比更常用的闪存技术更快。相变存

≥＾≤ 相变存储器的基本存储原理是在器件单元上施加不同宽度和高度的电压或电流脉冲信号，使相变材料发生物理相态的变化，即晶态(低阻态)和非晶态(高阻态)之间发生可逆相变互相转换，从而相变存储器是基于硫系化合物非晶和多晶之间的快速相变来实现信息存储的。研究所对相变机理、材料、工艺、测试和集成均有深入的研究，相变存储器被认为是目前解

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