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⊙▽⊙ IRF250 IRF250的功能、参数、电路图、封装、引脚图、PDF资料IRF250中文资料功能介紹中文: 功能介紹英文: 200V Vdss N-Channel FET (field effect transistor) 品牌:SeIRF224 IR N 250 3.8 40 TO-204AA IRF225 IR N 250 3.3 40 TO-204AA IRF230 IR N 200 9.0 75 TO-3 IRF231 IR N 150 9.0 75 TO-3 IRF232 IR N 200 8.0 75 TO
?ω? 常用场效应管参数大全型号材料管脚用途参数3DJ6NJ低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOSIRF642 IR N 200 16 125 TO-220AB IRF643 IR N 150 16 125 TO-220AB IRF644 IR N 250 14 125 TO-220AB IRF645 IR N 250 13 125 TO-220AB IRF710 IR N 400 2.0
型号:IRFP250 类型:N沟道场效应管(绝缘栅型) 耗散功率(PD):【管壳温度(Tc)=25 ℃】190 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】30 A 漏极和源极电压(VDSS):200 V 漏极和源极通IRF250核心参数:Vds-漏源极击穿电压:200 V Id-连续漏极电流:30 A Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms Vgs-栅极-源极电压:20V, +20V 最小工作温度:55°C 最大工作温度:150°C Pd-功
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